Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS27ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12213297-3
Price: 84660.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS27ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SISS27ADN-T1-GE3 за ціною від 29.10 грн до 140.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SISS27ADN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.14 грн
500+	43.12 грн
1000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 455-464 дні (днів)

5+	79.84 грн
10+	67.85 грн
100+	46.44 грн
500+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V

на замовлення 3492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.62 грн
10+	65.21 грн
100+	43.38 грн
500+	31.93 грн
1000+	29.10 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.94 грн
10+	89.61 грн
100+	59.14 грн
500+	43.12 грн
1000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	59.14 грн
500+	43.12 грн
1000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 455-464 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	79.84 грн
10+	67.85 грн
100+	46.44 грн
500+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V

на замовлення 3492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	107.62 грн
10+	65.21 грн
100+	43.38 грн
500+	31.93 грн
1000+	29.10 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27ADN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	140.94 грн
10+	89.61 грн
100+	59.14 грн
500+	43.12 грн
1000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.