SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.84 грн |
| 6000+ | 20.34 грн |
| 9000+ | 19.50 грн |
| 15000+ | 17.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS27DN-T1-GE3 за ціною від 20.87 грн до 81.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 13572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V |
на замовлення 23282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 10784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape On-state resistance: 9mΩ Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 36W |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 13572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape On-state resistance: 9mΩ Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 36W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS27DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |