Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS27DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142145-3
Price: 81630.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	27.21 грн
6000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SISS27DN-T1-GE3 за ціною від 23.25 грн до 107.53 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SISS27DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 7609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.99 грн
500+	31.92 грн
1500+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 7609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.61 грн
50+	59.47 грн
100+	43.99 грн
500+	31.92 грн
1500+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V

на замовлення 6804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.41 грн
10+	59.08 грн
100+	39.25 грн
500+	28.83 грн
1000+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.53 грн
10+	67.05 грн
100+	38.75 грн
500+	30.31 грн
1000+	27.65 грн
3000+	24.16 грн
6000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 7609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	43.99 грн
500+	31.92 грн
1500+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 7609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	89.61 грн
50+	59.47 грн
100+	43.99 грн
500+	31.92 грн
1500+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V

на замовлення 6804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.41 грн
10+	59.08 грн
100+	39.25 грн
500+	28.83 грн
1000+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS27DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	107.53 грн
10+	67.05 грн
100+	38.75 грн
500+	30.31 грн
1000+	27.65 грн
3000+	24.16 грн
6000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.