на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.69 грн |
| 10+ | 63.8 грн |
| 100+ | 45.49 грн |
| 500+ | 40.42 грн |
| 1000+ | 34.42 грн |
| 3000+ | 33.34 грн |
| 6000+ | 32.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS30ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 43.5A, On-state resistance: 10.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 36W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate charge: 30nC, Mounting: SMD, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 120A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS30ADN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 30nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
товар відсутній |
|
|
|
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
товар відсутній |
|
| SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 30nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A |
товар відсутній |