SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.62 грн |
| 6000+ | 28.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS30DN-T1-GE3 за ціною від 29.57 грн до 101.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS30DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V |
на замовлення 12697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS30DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS30DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS30DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 15.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISS30DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS30DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |