Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS30LDN-T1-GE3
SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss30ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.85 грн
6000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SISS30LDN-T1-GE3 за ціною від 33.11 грн до 117.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss30ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.29 грн
10+71.96 грн
100+51.01 грн
500+37.88 грн
1000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss30ldn.pdf MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.91 грн
10+86.56 грн
100+52.27 грн
500+41.33 грн
1000+37.50 грн
3000+33.73 грн
9000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss30ldn.pdf MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.