SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


siss30ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS30LDN-T1-GE3 за ціною від 33.06 грн до 98.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss30ldn.pdf MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95 грн
10+ 77.34 грн
100+ 51.95 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 35.94 грн
3000+ 33.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS30LDN-T1-GE3 SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss30ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 40 V
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.72 грн
10+ 84.97 грн
100+ 66.22 грн
500+ 51.34 грн
1000+ 40.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS30LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss30ldn.pdf SISS30LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності