Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS32ADN-T1-GE3
SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss32adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS32ADN-T1-GE3 за ціною від 47.54 грн до 95.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss32adn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 12162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.18 грн
10+67.85 грн
100+58.99 грн
500+50.32 грн
1000+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss32adn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 16724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.11 грн
10+74.56 грн
100+56.30 грн
500+54.40 грн
1000+49.98 грн
3000+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss32adn.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Power dissipation: 42W
Drain current: 50.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.