SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 43.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SISS32ADN-T1-GE3 за ціною від 47.30 грн до 94.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS32ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V |
на замовлення 12182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS32ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 80V |
на замовлення 16724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SISS32ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SISS32ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 8.7mΩ Power dissipation: 42W Drain current: 50.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 120A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SISS32ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 8.7mΩ Power dissipation: 42W Drain current: 50.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 120A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |