Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS32ADN-T1-GE3
SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss32adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.92 грн
6000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS32ADN-T1-GE3 за ціною від 45.80 грн до 131.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss32adn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 16844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+85.24 грн
100+57.76 грн
250+56.14 грн
500+50.13 грн
1000+46.75 грн
3000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss32adn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 12576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.79 грн
10+90.67 грн
100+72.34 грн
500+54.23 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss32adn.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32adn.pdf SISS32ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.