Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS32ADN-T1-GE3
SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss32adn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.46 грн
6000+42.81 грн
9000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS32ADN-T1-GE3 за ціною від 48.29 грн до 166.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss32adn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.58 грн
10+103.02 грн
100+70.10 грн
500+52.55 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix siss32adn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 17A
на замовлення 4091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 Vishay siss32adn.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 siss32adn.pdf
SISS32ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 40 V
на замовлення 9427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.58 грн
10+103.02 грн
100+70.10 грн
500+52.55 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 siss32adn.pdf
SISS32ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 17A
на замовлення 4091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32ADN-T1-GE3 siss32adn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.