| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.32 грн |
| 10+ | 113.54 грн |
| 100+ | 67.28 грн |
| 500+ | 53.39 грн |
| 1000+ | 49.07 грн |
| 3000+ | 47.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS32ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 36nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 8.7mΩ.
Інші пропозиції SISS32ADN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS32ADN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SISS32ADN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 17.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)