Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SISS32DN-T1-GE3

SISS32DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS32DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain current: 50.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 8.7mΩ, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 42nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®.

Інші пропозиції SISS32DN-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SISS32DN-T1-GE3	VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 50.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 8.7mΩ Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 42W Gate charge: 42nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET®	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SISS32DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 8.7mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.