SISS32DN-T1-GE3

SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


siss32dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS32DN-T1-GE3 за ціною від 33.4 грн до 104.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss32dn.pdf MOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 46106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95 грн
10+ 74.84 грн
100+ 45.7 грн
500+ 37.07 грн
1000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss32dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 15159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.79 грн
10+ 67.79 грн
100+ 47.58 грн
500+ 36.17 грн
1000+ 33.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
SISS32DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SISS32DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності