Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS32DN-T1-GE3
SISS32DN-T1-GE3

SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss32dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.18 грн
6000+33.85 грн
9000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SISS32DN-T1-GE3 за ціною від 33.60 грн до 121.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss32dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 15136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.47 грн
10+74.99 грн
100+56.80 грн
500+43.03 грн
1000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss32dn.pdf MOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 44520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+84.29 грн
100+54.42 грн
500+43.03 грн
1000+37.95 грн
3000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32dn.pdf SISS32DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.