SISS32DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.08 грн |
| 10+ | 106.29 грн |
| 100+ | 61.96 грн |
| 500+ | 53.24 грн |
| 1000+ | 49.39 грн |
| 3000+ | 44.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS32DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 42nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 50.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 8.7mΩ.
Інші пропозиції SISS32DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS32DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 42W Gate charge: 42nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 50.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 8.7mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SISS32DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 50.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 8.7mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 50.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 8.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.