SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.48 грн |
| 10+ | 91.16 грн |
| 100+ | 60.08 грн |
| 500+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 47.71 грн |
| 3000+ | 38.89 грн |
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Технічний опис SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS32LDN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SISS32LDN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 36429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SISS32LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 36429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS32LDN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISS32LDN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36429 шт:
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