SISS32LDN-T1-GE3

SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


siss32ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS32LDN-T1-GE3 за ціною від 26.46 грн до 133.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32ldn.pdf Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.84 грн
500+35.33 грн
1000+26.81 грн
5000+26.60 грн
10000+26.53 грн
25000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss32ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 40 V
на замовлення 21339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+75.02 грн
100+52.52 грн
500+38.91 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32ldn.pdf Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 37805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.74 грн
10+85.00 грн
100+58.60 грн
500+40.77 грн
1000+30.28 грн
5000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss32ldn.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
10+87.14 грн
100+52.01 грн
500+41.05 грн
1000+37.52 грн
3000+32.96 грн
6000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss32ldn.pdf SISS32LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.