SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 15945 шт:
термін постачання 843-852 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.12 грн |
| 10+ | 83.48 грн |
| 100+ | 60.07 грн |
| 250+ | 59.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W, Technology: TrenchFET®, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 33W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 24nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 29A, On-state resistance: 26mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS40DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
товар відсутній |
|
|
|
SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
товар відсутній |
|
| SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ |
товар відсутній |