SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.45 грн |
| 10+ | 37.55 грн |
| 100+ | 32.44 грн |
| 500+ | 32.36 грн |
| 1000+ | 32.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISS40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36.5 A, 0.0176 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS40DN-T1-GE3 за ціною від 33.21 грн до 59.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36.5 A, 0.0176 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SISS40DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |