SISS42DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 17781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.02 грн |
| 10+ | 95.37 грн |
| 100+ | 67.23 грн |
| 250+ | 62.02 грн |
| 500+ | 56.29 грн |
| 1000+ | 48.29 грн |
| 3000+ | 45.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS42DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 32.4A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 36W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS42DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS42DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 32.4A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| SISS42DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32.4A; Idm: 80A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 32.4A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |