SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


siss42ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0122 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS42LDN-T1-GE3 за ціною від 34.65 грн до 122.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS42LDN-T1-GE3 SISS42LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2795470.pdf Description: VISHAY - SISS42LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0122 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.21 грн
11+81.13 грн
100+62.72 грн
500+49.35 грн
1000+37.14 грн
5000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 SISS42LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss42ldn.pdf MOSFETs Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 43341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.56 грн
10+81.05 грн
100+54.44 грн
500+46.20 грн
1000+37.67 грн
3000+34.94 грн
6000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 SISS42LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss42ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2058 pF @ 50 V
на замовлення 13598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+80.01 грн
100+55.70 грн
500+41.37 грн
1000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss42ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS42LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss42ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.