Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS4410DN-T1-GE3
SISS4410DN-T1-GE3

SISS4410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss4410dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.83 грн
6000+ 19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS4410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SISS4410DN-T1-GE3 за ціною від 21.14 грн до 55.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS4410DN-T1-GE3 SISS4410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss4410dn.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.24 грн
10+ 45.72 грн
100+ 31.67 грн
500+ 24.84 грн
1000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISS4410DN-T1-GE3 SISS4410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss4410dn.pdf MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 9 mohm a. 10V 9.6 mohm a. 7.5V
товар відсутній