SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 10+ | 69.32 грн |
| 100+ | 46.27 грн |
| 500+ | 34.14 грн |
| 1000+ | 31.16 грн |
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Технічний опис SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS50DN-T1-GE3 за ціною від 82.77 грн до 130.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
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SISS50DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISS50DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
на замовлення 42848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
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SISS50DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 130.18 грн |
| 10+ | 82.77 грн |
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 42848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 65.7W
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Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 65.7W
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)