Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS50DN-T1-GE3
SISS50DN-T1-GE3

SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss50dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.29 грн
6000+24.38 грн
9000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SISS50DN-T1-GE3 за ціною від 23.63 грн до 104.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss50dn.pdf MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 42848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.05 грн
10+58.66 грн
100+38.68 грн
500+31.63 грн
1000+26.71 грн
3000+24.88 грн
6000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss50dn.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+63.76 грн
100+42.26 грн
500+30.99 грн
1000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss50dn.pdf SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.