SISS50DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.73 грн |
| 10+ | 58.45 грн |
| 100+ | 38.54 грн |
| 500+ | 31.52 грн |
| 1000+ | 26.62 грн |
| 3000+ | 24.79 грн |
| 6000+ | 23.55 грн |
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Технічний опис SISS50DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm.
Інші пропозиції SISS50DN-T1-GE3 за ціною від 46.74 грн до 122.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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SISS50DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISS50DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
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SISS50DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.64 грн |
| 10+ | 74.65 грн |
| 50+ | 55.87 грн |
| 100+ | 46.74 грн |
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISS50DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7W
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Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
Description: VISHAY - SISS50DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 108 A, 2830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)