Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS5108DN-T1-GE3

SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS5108DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 16071274-3
Price: 161490.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	53.83 грн
6000+	48.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS5108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SISS5108DN-T1-GE3 за ціною від 54.97 грн до 186.13 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISS5108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

на замовлення 8550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.13 грн
10+	115.00 грн
100+	78.70 грн
500+	59.28 грн
1000+	54.97 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 12337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 6005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V

на замовлення 8550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	186.13 грн
10+	115.00 грн
100+	78.70 грн
500+	59.28 грн
1000+	54.97 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 12337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55.9 A, 0.0087 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISS5108DN-T1-GE3

на замовлення 6005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.