SISS5208DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.24 грн |
| 10+ | 96.36 грн |
| 100+ | 57.83 грн |
| 500+ | 48.99 грн |
| 1000+ | 42.80 грн |
| 3000+ | 36.39 грн |
| 24000+ | 35.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS5208DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 172A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SISS5208DN-T1-GE3 за ціною від 104.16 грн до 163.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS5208DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 172A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SISS5208DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5208DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 172 A, 1300 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 172A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
SISS5208DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +8V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 172A (Tc) |
товару немає в наявності |