SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.18 грн |
| 10+ | 70.04 грн |
| 100+ | 46.90 грн |
| 500+ | 34.71 грн |
| 1000+ | 31.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS52DN-T1-GE3 за ціною від 77.28 грн до 92.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS52DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A |
на замовлення 4952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SISS52DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SISS52DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 172A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISS52DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SISS52DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS52DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISS52DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 172A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
Trans MOSFET N-CH 30V 172A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 92.06 грн |
| 10+ | 79.03 грн |
| 25+ | 77.28 грн |