Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS54DN-T1-GE3
SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss54dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS54DN-T1-GE3 за ціною від 52.92 грн до 180.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.66 грн
10+111.76 грн
100+76.34 грн
500+57.43 грн
1000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix siss54dn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 Vishay siss54dn.pdf SISS54DN
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.94 грн
10+136.07 грн
25+129.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.66 грн
10+111.76 грн
100+76.34 грн
500+57.43 грн
1000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Виробник: Vishay
SISS54DN
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.94 грн
10+136.07 грн
25+129.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.