Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS54DN-T1-GE3
SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss54dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS54DN-T1-GE3 за ціною від 46.19 грн до 164.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss54dn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.82 грн
10+109.42 грн
100+66.68 грн
500+52.87 грн
1000+51.26 грн
3000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.34 грн
10+101.59 грн
100+69.15 грн
500+51.85 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 30V
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain current: 148.5A
Pulsed drain current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.