Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS5623DN-T1-GE3
SISS5623DN-T1-GE3

SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss5623dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.66 грн
6000+47.57 грн
9000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SISS5623DN-T1-GE3 за ціною від 53.60 грн до 182.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5623dn.pdf Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 20093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.22 грн
10+112.81 грн
100+77.13 грн
500+58.04 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix siss5623dn.pdf MOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 VISHAY 3959220.pdf Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 SISS5623DN-T1-GE3 VISHAY 3959220.pdf Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 siss5623dn.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
на замовлення 20093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.22 грн
10+112.81 грн
100+77.13 грн
500+58.04 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 siss5623dn.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 3959220.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5623DN-T1-GE3 3959220.pdf
SISS5623DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5623DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36.3 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.