Продукція > VISHAY > SISS5708DN-T1-GE3
SISS5708DN-T1-GE3

SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY

siss5708dn.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.62 грн
500+53.64 грн
1000+46.66 грн
5000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS5708DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SISS5708DN-T1-GE3 за ціною від 41.65 грн до 169.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss5708dn.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.47 грн
10+119.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss5708dn.pdf Description: VISHAY - SISS5708DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.13 грн
10+103.04 грн
100+78.62 грн
500+53.64 грн
1000+46.66 грн
5000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss5708dn.pdf MOSFETs PWRPK 150V 33.8A N-CH MOSFET
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
10+117.56 грн
100+73.71 грн
500+59.11 грн
1000+54.45 грн
3000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5708DN-T1-GE3 SISS5708DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss5708dn.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.