Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS5808DN-T1-GE3

SISS5808DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS5808DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 21732627-3
Price: 133110.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	44.37 грн
6000+	40.00 грн
9000+	38.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS5808DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SISS5808DN-T1-GE3 за ціною від 41.34 грн до 164.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SISS5808DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.30 грн
500+	55.07 грн
1000+	48.81 грн
5000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.31 грн
10+	107.53 грн
100+	74.30 грн
500+	55.07 грн
1000+	48.81 грн
5000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.11 грн
10+	96.83 грн
100+	65.75 грн
500+	49.21 грн
1000+	45.20 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

на замовлення 11280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.56 грн
10+	104.39 грн
100+	61.87 грн
500+	49.02 грн
1000+	45.04 грн
3000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	74.30 грн
500+	55.07 грн
1000+	48.81 грн
5000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	139.31 грн
10+	107.53 грн
100+	74.30 грн
500+	55.07 грн
1000+	48.81 грн
5000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	157.11 грн
10+	96.83 грн
100+	65.75 грн
500+	49.21 грн
1000+	45.20 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS5808DN-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

на замовлення 11280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	164.56 грн
10+	104.39 грн
100+	61.87 грн
500+	49.02 грн
1000+	45.04 грн
3000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.