SISS5808DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 52.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS5808DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SISS5808DN-T1-GE3 за ціною від 45.33 грн до 143.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 66.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 11400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS5808DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.6 A, 7450 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7450µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC On-state resistance: 11mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 65.7W Drain current: 66.6A Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 6000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SISS5808DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC On-state resistance: 11mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 65.7W Drain current: 66.6A Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 150A |
товару немає в наявності |