SISS588DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.05 грн |
| 500+ | 41.38 грн |
| 1000+ | 35.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS588DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції SISS588DN-T1-GE3 за ціною від 35.05 грн до 152.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS588DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS588DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS588DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A |
на замовлення 12976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SISS588DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 130.34 грн |
| 10+ | 83.09 грн |
| 100+ | 56.05 грн |
| 500+ | 41.38 грн |
| 1000+ | 35.05 грн |
| SISS588DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.69 грн |
| 10+ | 90.55 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 45.69 грн |
| 1000+ | 41.89 грн |
| SISS588DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.34 грн |
| 10+ | 96.36 грн |
| 100+ | 56.49 грн |
| 500+ | 44.90 грн |
| 1000+ | 41.20 грн |
| 3000+ | 38.96 грн |
| 6000+ | 37.57 грн |