Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS588DN-T1-GE3
SISS588DN-T1-GE3

SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss588dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.03 грн
10+90.15 грн
100+60.98 грн
500+45.48 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції SISS588DN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISS588DN-T1-GE3 SISS588DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 SISS588DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors siss588dn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 SISS588DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 VISH-S-A0024456877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS588DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 siss588dn.pdf
SISS588DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3 VISH-S-A0024456877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS588DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.