SISS588DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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Технічний опис SISS588DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції SISS588DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SISS588DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISS588DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)