Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS60DN-T1-GE3
SISS60DN-T1-GE3

SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss60dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS60DN-T1-GE3 за ціною від 40.56 грн до 125.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss60dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.57 грн
10+81.46 грн
100+57.43 грн
500+43.84 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 SISS60DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss60dn.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 50.1A
на замовлення 22647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.62 грн
10+95.73 грн
100+58.27 грн
500+46.28 грн
1000+42.92 грн
3000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss60dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -12...16V
Gate charge: 85.5nC
On-state resistance: 2.01mΩ
Power dissipation: 42.1W
Drain current: 145.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.