SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.07 грн |
| 6000+ | 27.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS61DN-T1-GE3 за ціною від 25.03 грн до 99.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 36213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V |
на замовлення 7147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 32097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 36213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 5924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SISS61DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |