Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SISS63DN-T1-GE3
SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

siss63dn.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S
на замовлення 36825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.49 грн
10+61.66 грн
100+38.60 грн
500+30.25 грн
1000+27.54 грн
3000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS63DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SISS63DN-T1-GE3 за ціною від 27.50 грн до 100.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss63dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.92 грн
10+61.47 грн
100+40.96 грн
500+30.17 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3 SISS63DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss63dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.