SISS63DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 83.15 грн |
| 50+ | 68.96 грн |
| 100+ | 48.76 грн |
| 500+ | 36.44 грн |
| 1500+ | 30.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS63DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS63DN-T1-GE3 за ціною від 29.54 грн до 111.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS63DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 36825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS63DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SISS63DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SISS63DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |