Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS64DN-T1-GE3
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss64dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.15 грн
6000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS64DN-T1-GE3 за ціною від 37.61 грн до 109.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687541.pdf Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.16 грн
500+50.81 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.99 грн
10+77.01 грн
100+55.75 грн
500+41.48 грн
1000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss64dn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.37 грн
10+85.72 грн
100+56.53 грн
500+44.83 грн
1000+41.71 грн
3000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687541.pdf Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.10 грн
11+84.64 грн
100+63.16 грн
500+50.81 грн
1000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss64dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss64dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.86mΩ
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss64dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.86mΩ
Power dissipation: 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.