SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.33 грн |
| 6000+ | 33.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS64DN-T1-GE3 за ціною від 30.99 грн до 106.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V |
на замовлення 7212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 8911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 68nC On-state resistance: 2.86mΩ Power dissipation: 36W |
товару немає в наявності |