SISS64DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.73 грн |
| 500+ | 50.46 грн |
| 1000+ | 42.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS64DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.
Інші пропозиції SISS64DN-T1-GE3 за ціною від 37.35 грн до 108.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 8911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 2.86mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SISS64DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 2.86mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC |
товару немає в наявності |