SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.00 грн |
| 6000+ | 21.41 грн |
| 9000+ | 20.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS65DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS65DN-T1-GE3 за ціною від 20.58 грн до 88.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS65DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 83773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
на замовлення 11413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS65DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 42.1W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 7.5mΩ Drain current: 75.2A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 138nC Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SISS65DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 42.1W Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 7.5mΩ Drain current: 75.2A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 138nC Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |