SISS70DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.60 грн |
| 10+ | 85.24 грн |
| 100+ | 55.48 грн |
| 500+ | 43.96 грн |
| 1000+ | 39.19 грн |
| 3000+ | 34.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS70DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK.
Інші пропозиції SISS70DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS70DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK |
на замовлення 5559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SISS70DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
SISS70DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISS70DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |