SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.65 грн |
| 6000+ | 27.47 грн |
| 9000+ | 26.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SiSS71DN-T1-GE3 за ціною від 31.51 грн до 123.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS71DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 52992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISS71DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 46746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SISS71DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SiSS71DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |