Продукція > VISHAY > SISS71DN-T1-GE3
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0002472596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 52992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.22 грн
500+45.03 грн
1500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS71DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS71DN-T1-GE3 за ціною від 34.30 грн до 108.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiSS71DN-T1-GE3 SiSS71DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss71dn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.19 грн
10+68.45 грн
100+46.31 грн
500+45.21 грн
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 52967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.68 грн
50+76.98 грн
100+56.89 грн
500+42.81 грн
1500+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss71dn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss71dn.pdf SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 SiSS71DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss71dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3 SiSS71DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss71dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.