SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.99 грн |
| 6000+ | 34.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS73DN-T1-GE3 за ціною від 37.45 грн до 156.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V |
на замовлення 7277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET |
на замовлення 67052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS73DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: ThunderFET; TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -12.9A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |