Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS73DN-T1-GE3
SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss73dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.87 грн
6000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS73DN-T1-GE3 за ціною від 38.13 грн до 181.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.92 грн
500+50.83 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 Vishay siss73dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.54 грн
177+80.19 грн
500+64.96 грн
1000+56.83 грн
3000+47.74 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss73dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.90 грн
10+90.17 грн
100+60.96 грн
500+45.49 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 Vishay siss73dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.06 грн
10+113.54 грн
100+80.19 грн
500+62.64 грн
1000+52.62 грн
3000+45.83 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors siss73dn.pdf MOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET
на замовлення 66905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.97 грн
10+97.17 грн
100+56.98 грн
500+45.25 грн
1000+41.55 грн
3000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 SISS73DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.67 грн
10+116.50 грн
100+78.45 грн
500+57.95 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 VISH-S-A0010924805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+68.92 грн
500+50.83 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
125+113.54 грн
177+80.19 грн
500+64.96 грн
1000+56.83 грн
3000+47.74 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.90 грн
10+90.17 грн
100+60.96 грн
500+45.49 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+151.06 грн
10+113.54 грн
100+80.19 грн
500+62.64 грн
1000+52.62 грн
3000+45.83 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET
на замовлення 66905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
10+97.17 грн
100+56.98 грн
500+45.25 грн
1000+41.55 грн
3000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3 VISH-S-A0010924805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS73DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+181.67 грн
10+116.50 грн
100+78.45 грн
500+57.95 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.