на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 272+ | 45.51 грн |
| 277+ | 44.81 грн |
| 281+ | 44.12 грн |
| 286+ | 41.88 грн |
| 290+ | 38.16 грн |
| 500+ | 36.04 грн |
| 1000+ | 35.45 грн |
| 3000+ | 34.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS76LDN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS76LDN-T1-GE3 за ціною від 35.29 грн до 96.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
на замовлення 4835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.6A |
на замовлення 34022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R |
товару немає в наявності |