Продукція > VISHAY > SISS76LDN-T1-GE3
SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3 Vishay

siss76ldn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+38.40 грн
25+38.22 грн
50+36.68 грн
100+33.81 грн
250+32.30 грн
500+32.14 грн
1000+31.98 грн
3000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS76LDN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS76LDN-T1-GE3 за ціною від 33.52 грн до 125.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss76ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+41.36 грн
296+41.16 грн
298+40.97 грн
299+39.32 грн
300+36.23 грн
500+34.61 грн
1000+34.44 грн
3000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3164659.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.09 грн
500+37.77 грн
1000+34.23 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3164659.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.85 грн
13+63.81 грн
100+47.09 грн
500+37.77 грн
1000+34.23 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss76ldn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 70V
на замовлення 34161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.01 грн
10+69.88 грн
100+46.38 грн
500+39.56 грн
1000+35.37 грн
3000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.09 грн
10+64.68 грн
100+51.98 грн
500+42.11 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss76ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss76ldn.pdf SISS76LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.