
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
272+ | 44.97 грн |
277+ | 44.28 грн |
281+ | 43.60 грн |
286+ | 41.38 грн |
290+ | 37.71 грн |
500+ | 35.61 грн |
1000+ | 35.03 грн |
3000+ | 34.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS76LDN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS76LDN-T1-GE3 за ціною від 34.47 грн до 94.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 34044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V |
на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 54A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
SISS76LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 54A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |