Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS80DN-T1-GE3
SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss80dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS80DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SISS80DN-T1-GE3 за ціною від 52.96 грн до 169.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.18 грн
10+66.68 грн
100+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss80dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.82 грн
10+83.09 грн
100+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss80dn.pdf MOSFETs N-Channel 20V (D-S)
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.14 грн
10+90.27 грн
100+57.38 грн
500+55.10 грн
1000+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss80dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.82 грн
10+105.42 грн
100+71.94 грн
500+54.06 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 SISS80DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss80dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.