SISS92DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.27 грн |
| 500+ | 45.89 грн |
| 1000+ | 34.49 грн |
| 5000+ | 32.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS92DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS92DN-T1-GE3 за ціною від 32.41 грн до 111.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 16370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 10555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 12.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
товару немає в наявності |