Продукція > VISHAY > SISS92DN-T1-GE3
SISS92DN-T1-GE3

SISS92DN-T1-GE3 VISHAY

2786207.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.50 грн
500+47.65 грн
1000+35.81 грн
5000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS92DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS92DN-T1-GE3 за ціною від 33.66 грн до 115.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss92dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.63 грн
10+84.51 грн
100+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2786207.pdf Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.95 грн
12+77.75 грн
100+60.50 грн
500+47.65 грн
1000+35.81 грн
5000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss92dn.pdf MOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 10555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.38 грн
10+79.44 грн
100+53.70 грн
500+42.81 грн
1000+37.16 грн
3000+36.16 грн
9000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss92dn.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 12.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss92dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.