SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 11870 шт:
термін постачання 870-879 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.46 грн |
| 10+ | 67.83 грн |
| 100+ | 45.89 грн |
| 500+ | 38.94 грн |
| 1000+ | 31.72 грн |
| 3000+ | 31.18 грн |
| 9000+ | 30.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.19Ω, Gate charge: 16nC, Drain current: 9.9A, Drain-source voltage: 250V, Technology: ThunderFET; TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8, Pulsed drain current: 20A, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 42.1W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS92DN-T1-GE3 за ціною від 57.57 грн до 86.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 12.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товар відсутній |
|||||||||
| SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
товар відсутній |
|||||||||
| SISS92DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W |
товар відсутній |