SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.061 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS94DN-T1-GE3 за ціною від 23.64 грн до 101.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS94DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.061 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 16681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS94DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 35548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS94DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS94DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |