Продукція > VISHAY SILICONIX > SiSS98DN-T1-GE3
SiSS98DN-T1-GE3

SiSS98DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss98dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.59 грн
6000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiSS98DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SiSS98DN-T1-GE3 за ціною від 30.30 грн до 110.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiSS98DN-T1-GE3 SiSS98DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss98dn.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 34049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.63 грн
10+68.83 грн
100+47.24 грн
9000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3 SiSS98DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss98dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.48 грн
10+67.43 грн
100+44.99 грн
500+33.20 грн
1000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss98dn.pdf SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.