SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.93 грн |
| 500+ | 8.54 грн |
| 1000+ | 7.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIUD401ED-T1-GE3 за ціною від 4.86 грн до 33.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIUD401ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 11795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIUD401ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIUD401ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIUD401ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIUD401ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |