SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 12.56 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
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Технічний опис SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIUD401ED-T1-GE3 за ціною від 4.63 грн до 32.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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SIUD401ED-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 11795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIUD401ED-T1-GE3 | VISHAY |
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на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIUD401ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 24.48 грн |
| 20+ | 15.88 грн |
| 100+ | 8.42 грн |
| 1000+ | 6.56 грн |
| 3000+ | 5.59 грн |
| 9000+ | 4.83 грн |
| 24000+ | 4.63 грн |
| SIUD401ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 32.05 грн |
| 41+ | 19.73 грн |
| 100+ | 12.56 грн |
| 500+ | 8.75 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |



