Продукція > VISHAY > SIUD401ED-T1-GE3

SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY


siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.56 грн
500+8.75 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIUD401ED-T1-GE3 за ціною від 4.63 грн до 32.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 Vishay Semiconductors siud401ed.pdf MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.48 грн
20+15.88 грн
100+8.42 грн
1000+6.56 грн
3000+5.59 грн
9000+4.83 грн
24000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.05 грн
41+19.73 грн
100+12.56 грн
500+8.75 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+24.48 грн
20+15.88 грн
100+8.42 грн
1000+6.56 грн
3000+5.59 грн
9000+4.83 грн
24000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+32.05 грн
41+19.73 грн
100+12.56 грн
500+8.75 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.