SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.49 грн |
| 9000+ | 5.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.57ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm.
Інші пропозиції SIUD402ED-T1-GE3 за ціною від 4.44 грн до 36.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIUD402ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806 |
на замовлення 118572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIUD402ED-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 132843 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIUD402ED-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SIUD402ED-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.57ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIUD402ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
Description: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
на замовлення 118572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.57 грн |
| 19+ | 16.89 грн |
| 50+ | 12.16 грн |
| 100+ | 9.97 грн |
| 500+ | 7.41 грн |
| SIUD402ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 132843 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.78 грн |
| 13+ | 25.61 грн |
| 100+ | 9.25 грн |
| 1000+ | 6.85 грн |
| 3000+ | 5.12 грн |
| 9000+ | 4.66 грн |
| 24000+ | 4.44 грн |
| SIUD402ED-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIUD402ED-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.57ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
Description: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.73 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.57ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)