SiUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm.
Інші пропозиції SiUD403ED-T1-GE3 за ціною від 6.62 грн до 28.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiUD403ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V |
на замовлення 9655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SiUD403ED-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 23575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIUD403ED-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm |
на замовлення 52142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIUD403ED-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm |
на замовлення 52142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SiUD403ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.48 грн |
| 18+ | 16.90 грн |
| 100+ | 10.65 грн |
| 500+ | 7.44 грн |
| 1000+ | 6.62 грн |
| SiUD403ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 23575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIUD403ED-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
на замовлення 52142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIUD403ED-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
на замовлення 52142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)