SIUD403ED-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.95 грн |
| 1000+ | 4.24 грн |
| 5000+ | 3.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIUD403ED-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK 0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIUD403ED-T1-GE3 за ціною від 3.92 грн до 31.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiUD403ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIUD403ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SiUD403ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V |
на замовлення 13065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SiUD403ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 23685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIUD403ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SiUD403ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -0.5A Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -0.8A Gate charge: 1.7nC On-state resistance: 4.4Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Case: PowerPAK® 0806-3 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |