Продукція > VISHAY SILICONIX > SIUD406ED-T1-GE3
SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix

siud406ed.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.68 грн
9000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 0806, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 0806, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIUD406ED-T1-GE3 за ціною від 5.38 грн до 35.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siud406ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.27 грн
16+20.85 грн
100+9.91 грн
500+9.24 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siud406ed.pdf MOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.38 грн
15+24.76 грн
100+9.63 грн
1000+7.58 грн
3000+6.52 грн
9000+5.76 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 Виробник : VISHAY siud406ed.pdf SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.