SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.95 грн |
| 6000+ | 5.44 грн |
| 9000+ | 5.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 0806, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 0806, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIUD406ED-T1-GE3 за ціною від 5.15 грн до 33.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIUD406ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V |
на замовлення 13666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIUD406ED-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 12682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIUD406ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 0.8A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIUD406ED-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 0.8A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |