Продукція > VISHAY SILICONIX > SiUD412ED-T1-GE3
SiUD412ED-T1-GE3

SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix

siud412ed.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.36 грн
6000+5.85 грн
9000+5.06 грн
30000+4.66 грн
75000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 0806, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 0806, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SiUD412ED-T1-GE3 за ціною від 5.52 грн до 38.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiUD412ED-T1-GE3 SiUD412ED-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siud412ed.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.32 грн
13+23.81 грн
100+12.03 грн
500+9.21 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 SiUD412ED-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siud412ed.pdf MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.10 грн
13+27.79 грн
100+13.64 грн
500+9.07 грн
1000+6.89 грн
3000+6.17 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3 SIUD412ED-T1-GE3 Виробник : Vishay siud412ed.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 Виробник : VISHAY siud412ed.pdf SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.