SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.29 грн |
| 9000+ | 5.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 0806, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 0806, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SiUD412ED-T1-GE3 за ціною від 5.31 грн до 38.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiUD412ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 0806 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 0806 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V |
на замовлення 77129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiUD412ED-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIUD412ED-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SiUD412ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 77129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.31 грн |
| 18+ | 17.31 грн |
| 50+ | 12.45 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 500+ | 7.60 грн |
| SiUD412ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.39 грн |
| 11+ | 28.01 грн |
| 100+ | 13.75 грн |
| 500+ | 9.14 грн |
| 1000+ | 6.95 грн |
| 3000+ | 6.22 грн |
| 6000+ | 5.56 грн |
| SIUD412ED-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.93 грн |
| 43+ | 17.75 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 250+ | 8.98 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.31 грн |