Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

siz240dt.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.87 грн
10+90.31 грн
100+56.36 грн
500+47.26 грн
1000+38.53 грн
3000+36.26 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ240DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIZ240DT-T1-GE3 за ціною від 39.66 грн до 120.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz240dt.pdf Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.20 грн
10+93.86 грн
100+63.89 грн
500+49.46 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz240dt.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz240dt.pdf SIZ240DT-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz240dt.pdf SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz240dt.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3 SIZ240DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz240dt.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.