SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.08 грн |
| 6000+ | 30.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції SIZ250DT-T1-GE3 за ціною від 33.17 грн до 130.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZ250DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V |
на замовлення 11663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZ250DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S |
на замовлення 24690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|