SIZ254DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ254DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZ254DT-T1-GE3 за ціною від 31.24 грн до 155.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ254DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIZ254DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 4146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZ254DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.7A |
на замовлення 4633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|