Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3

siz256dt.pdf
Код товару: 185540
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIZ256DT-T1-GE3 за ціною від 33.19 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY siz256dt.pdf Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.55 грн
500+41.06 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix siz256dt.pdf MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.48 грн
10+88.15 грн
100+51.62 грн
500+41.00 грн
1000+38.40 грн
3000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY siz256dt.pdf Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.30 грн
10+90.25 грн
100+60.55 грн
500+41.06 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 siz256dt.pdf
SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.55 грн
500+41.06 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 siz256dt.pdf
SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.48 грн
10+88.15 грн
100+51.62 грн
500+41.00 грн
1000+38.40 грн
3000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 siz256dt.pdf
SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.30 грн
10+90.25 грн
100+60.55 грн
500+41.06 грн
1000+35.51 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.