Продукція > VISHAY > SIZ256DT-T1-GE3
SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY

siz256dt.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.30 грн
500+33.56 грн
1000+28.72 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIZ256DT-T1-GE3 за ціною від 26.39 грн до 117.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siz256dt.pdf MOSFETs PWRPR N CHAN 70V
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.03 грн
10+67.94 грн
100+44.62 грн
500+37.65 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz256dt.pdf Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.73 грн
12+71.96 грн
100+50.30 грн
500+33.56 грн
1000+28.72 грн
5000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3
Код товару: 185540
Додати до обраних Обраний товар

siz256dt.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz256dt.pdf SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.