Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3

siz256dt.pdf
Код товару: 185540
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIZ256DT-T1-GE3 за ціною від 27.89 грн до 138.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012815750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.53 грн
500+37.58 грн
1000+31.85 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siz256dt.pdf MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.61 грн
10+86.97 грн
100+50.93 грн
500+40.45 грн
1000+37.88 грн
3000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012815750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.42 грн
10+89.04 грн
100+59.74 грн
500+40.51 грн
1000+35.04 грн
5000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz256dt.pdf DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.