Інші пропозиції SIZ256DT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIZ256DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.5A
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIZ256DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIZ256DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)