Інші пропозиції SIZ300DT-T1-GE3 за ціною від 27.51 грн до 95.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIRFET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 16.7W, 31W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3 |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIZ300DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.98 грн |
| 10+ | 75.95 грн |
| SIZ300DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.31 грн |
| 10+ | 75.16 грн |
| 500+ | 54.95 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| 3000+ | 28.91 грн |
| 6000+ | 27.51 грн |