Інші пропозиції SIZ300DT-T1-GE3 за ціною від 74.57 грн до 86.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIRPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3 |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZ300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.39 грн |
| 10+ | 74.57 грн |
| SIZ300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIZ300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




