SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.20 грн |
| 500+ | 28.44 грн |
| 1000+ | 23.15 грн |
| 5000+ | 22.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIZ320DT-T1-GE3 за ціною від 22.65 грн до 76.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZ320DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZ320DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZ320DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIZ320DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIZ320DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
товару немає в наявності |