SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SIZ322DT-T1-GE3 за ціною від 18.23 грн до 63.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIZ322DT-T1-GE3 Код товару: 175930 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |