Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIZ322DT-T1-GE3

SIZ322DT-T1-GE3

siz322dt.pdf
Код товару: 175930
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIZ322DT-T1-GE3 за ціною від 29.39 грн до 29.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 Vishay siz322dt.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 Vishay siz322dt.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY 2687562.pdf Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY 2687562.pdf Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz322dt.pdf MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 siz322dt.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 siz322dt.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 2687562.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 2687562.pdf
SIZ322DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3 siz322dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.