Інші пропозиції SIZ322DT-T1-GE3 за ціною від 24.77 грн до 74.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5290µohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5290µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIZ322DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
товару немає в наявності |