Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ328DT-T1-GE3
SIZ328DT-T1-GE3

SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz328dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+48.09 грн
100+33.31 грн
500+25.01 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3), Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZ328DT-T1-GE3 за ціною від 22.02 грн до 87.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ328DT-T1-GE3 SIZ328DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siz328dt.pdf MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.34 грн
10+60.09 грн
100+33.39 грн
500+28.77 грн
1000+26.27 грн
3000+24.44 грн
6000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ328DT-T1-GE3 SIZ328DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz328dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.