Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ340ADT-T1-GE3
SIZ340ADT-T1-GE3

SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz340adt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3570µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3570µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIZ340ADT-T1-GE3 за ціною від 25.27 грн до 121.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY 2917264.pdf Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3570µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3570µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.08 грн
500+30.06 грн
1500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay siz340adt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.15 грн
25+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340adt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+60.65 грн
100+47.18 грн
500+37.53 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY 2917264.pdf Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3570µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3570µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
50+61.53 грн
100+41.08 грн
500+30.06 грн
1500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay Semiconductors siz340adt.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.11 грн
500+34.72 грн
1000+31.69 грн
3000+30.03 грн
6000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 SIZ340ADT-T1-GE3 Vishay siz340adt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 2917264.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3570µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3570µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+41.08 грн
500+30.06 грн
1500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 siz340adt.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.15 грн
25+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 siz340adt.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.89 грн
10+60.65 грн
100+47.18 грн
500+37.53 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 2917264.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3570µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3570µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+109.53 грн
50+61.53 грн
100+41.08 грн
500+30.06 грн
1500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 siz340adt.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.11 грн
500+34.72 грн
1000+31.69 грн
3000+30.03 грн
6000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 siz340adt.pdf
SIZ340ADT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.