SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIZ340DT-T1-GE3 за ціною від 28.46 грн до 95.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 16.7W, 31W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V |
на замовлення 6695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 17651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 366+ | 38.43 грн |
| 367+ | 38.33 грн |
| 398+ | 35.30 грн |
| 403+ | 33.70 грн |
| 500+ | 30.76 грн |
| 1000+ | 29.09 грн |
| 3000+ | 28.67 грн |
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.47 грн |
| 20+ | 38.43 грн |
| 25+ | 38.33 грн |
| 100+ | 34.04 грн |
| 250+ | 31.20 грн |
| 500+ | 29.53 грн |
| 1000+ | 29.09 грн |
| 3000+ | 28.67 грн |
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.45 грн |
| 10+ | 59.74 грн |
| 100+ | 41.02 грн |
| 500+ | 31.25 грн |
| 1000+ | 28.46 грн |
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 17651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIZ340DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)