SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZ340DT-T1-GE3 за ціною від 23.06 грн до 103.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 6257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 6695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 5794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W On-state resistance: 13.7/7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19/35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| SIZ340DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W On-state resistance: 13.7/7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19/35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |