Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz340dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIZ340DT-T1-GE3 за ціною від 21.44 грн до 97.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.15 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
5000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors siz340dt.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 17651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.83 грн
10+51.23 грн
100+33.94 грн
500+28.35 грн
1000+25.84 грн
3000+22.55 грн
6000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.30 грн
15+58.00 грн
100+44.15 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
5000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+60.97 грн
100+41.86 грн
500+31.90 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 VISH-S-A0001121323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.15 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
5000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 siz340dt.pdf
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 17651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.83 грн
10+51.23 грн
100+33.94 грн
500+28.35 грн
1000+25.84 грн
3000+22.55 грн
6000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 VISH-S-A0001121323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.30 грн
15+58.00 грн
100+44.15 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
5000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3 siz340dt.pdf
SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 16.7W, 31W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.41 грн
10+60.97 грн
100+41.86 грн
500+31.90 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.