SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.55 грн |
| 6000+ | 23.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SIZ342DT-T1-GE3 за ціною від 25.45 грн до 83.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 3.6W, 4.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active |
на замовлення 12104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.31 грн |
| 6000+ | 27.66 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.31 грн |
| 6000+ | 27.66 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.29 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 33.36 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.52 грн |
| 10+ | 58.19 грн |
| 100+ | 39.41 грн |
| 500+ | 33.41 грн |
| 1000+ | 27.25 грн |
| 3000+ | 25.45 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.93 грн |
| 10+ | 54.14 грн |
| 100+ | 37.61 грн |
| 500+ | 28.32 грн |
| 1000+ | 26.03 грн |
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIZ342DT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)